El inventor e ingeniero de IBM Robert H. Dennard, considerado padre de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), creada a finales de la décda de los sesenta, falleció el pasado 23 de abril a los 91 años de edad.

La memoria DRAM es un tipo de memoria que se emplea para almacenar información de forma temporal y enviarla a una unidad de procesamiento central (CPU), esto es, un componente que conserva los datos necesarios mientras el ordenador está encendido.

El que en el sector de la informática es considerado «padre de la memoria DRAM», Robert H. Dennard, falleció el pasado 23 de abril a los 91 años, tal y como han compartido recientemente medios especializados como Tom’s Hardware.

Nacido el 5 de septiembre de 1932 en Terrel, Texas (Estados Unidos), pasó sus primeros años de vida en una granja sin medios tan básicos como la electricidad, tal y como recoge su biografía publicada en la página web de IBM.

Ya en secundaria, siendo un estudiante prometedor, se dedicó a tocar la trompeta. Gracias a que demostró gran habilidad con este instrumento, recibió una beca para estudiar Ingeniería eléctrica en la Universidad Metodista del Sur.

Tras graduarse en esta institución, Dennar continuó estudiando para obtener un doctorado en esta materia, esta vez emitido por el Instituto Coarnegie de Tecnología, actualmente conocido como Carnegie Mellon (Pensilvania, Estados Unidos).

Fue en 1958 cuando comenzó su carrera en la tecnológica IBM, donde permaneció hasta el final de su carrera profesional. En esta época de despegue tecnológico, el ingeniero pasó sus primeros días en la empresa estudiando diseños y aplicaciones de circuitos de transistores semiconductores del óxido metálico (MOSFET).

Unos años después, en 1964, Dennard se unió a un equipo dedicado a la microelectrónica que buscaba desarrollar un sistema que reemplazase a la memoria RAM de los ordenadores de entonces, que era grande y lenta, además de que consumía mucha energía.

Los ingenieros crearon entonces un sistema alternativo que empleaba seis transistores MOS para almacenar 1 bit de información en un circuito integrado; una idea que no terminaba de ser asequible ni mucho menos rápida.

Así, Dennard comenzó a pensar en la idea de almacenar parte de la información en un solo transistor, una propuesta que se terminó materializando en la memoria DRAM en 1968. Una vez esta llegó al mercado, ya en los años setenta, «encabezó un progreso espectacular en la capacidad y velocidad de la memoria», tal y como señala IBM.

Además de reducir el tamaño de la RAM, Dennard contribuyó en 1972 a desarrollar una teoría que sentó las bases de lo que próximamente sería una generación de ordenadores de menor tamaño, más rápidas y eficientes.

De esta manera introdujo la llamada escala de Dennard o Ley de Dennard, una teoría para la que se basó en la Ley de Moore, que determina que el número de transistores que pueden caber en un espacio determinado se duplicará aproximadamente cada dos años.

De esta manera, esta ley anticipó que el rendimiento de cada vatio aumentaría aproximadamente al mismo ritmo. Por tanto, con ella se llegó a la conclusión de que el consumo de energía disminuiría a medida que los transistores se hicieran más pequeños.

Si bien la ley de Dennard fracasó a mediados de los años 2000, porque a medida que los ingenieros redujeron las dimensiones de los equipos, los transistores comenzaron a tener fugas, «su impacto perdura en el ecosistema de chips de memoria más nuevos, más pequeños y cada vez más potentes».

Entre algunos de los reconocimientos que Dennard obtuvo a lo largo de su carrera profesional se encuentran la Medalla Nacional de Tecnología de Estados Unidos (1988) y la Medalla de Honor del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE) en 2009.